机译:具有三维光子晶体(3-D-PhC)背面反射器的大功率GaN基发光二极管的提高的光提取效率
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan|c|;
Air void; GaN; light extraction efficiency (LEE); light-emitting diodes (LEDs); nanosphere; photonic crystal (PhC);
机译:具有纳米半球形混合背面反射器的高功率基于GaN的发光二极管的增强光提取
机译:具有纹理化侧壁和ICP传输的纳米半球形背面反射器的GaN基发光二极管的光提取增强
机译:在p-GaN和Ag反射器的界面处嵌入光子晶体,以改善GaN基倒装芯片发光二极管的光提取
机译:AgCu基反射器增强GaN基垂直发光二极管的光提取效率
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:微米级圆锥阵列图案化的具有三维背面反射镜的基于GaN的发光二极管的光输出增强
机译:提高具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率