Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Univ. of Hong Kong Pokfulam Road, Hong Kong;
resolution enhancement techniques; grid-placed contacts; standard cells; double exposure; critical dimension; process-related factor;
机译:带有铜铬触点的真空断路器对并联电容器开关性能影响的主要因素的研究
机译:线圈点火系统的性能,尤其涉及双接触断路器以及开路时间变化的影响
机译:CNT-金属接触电阻存在下基于10nm GAA CNTFET的电路的性能分析和增强
机译:网格置位接触对电路性能的影响
机译:高性能集成电路中基板温度不均匀的影响:建模,分析以及对信号完整性和互连性能优化的影响。
机译:用于有机半导体的柔软顺应性的电触点:通过层压的高分辨率塑料电路
机译:栅极接触对电路性能的影响