JSR Micro, 1280 North Mathilda Avenue, Sunnyvale, CA 94089;
JSR Micro, 1280 North Mathilda Avenue, Sunnyvale, CA 94089 Intel's Molecules for Advanced Patterning (MAP) Program, LBNL Molecular Foundry, 1 Cyclotron Road, Berkeley, CA 94720;
Intel's Molecules;
extreme ultraviolet lithography; EUV; EUVL; photoresist; photoacid generator; PAG; sulfonium; reductive cleavage; silyl transfer; sulfur ylide; alkyl radical; quencher; patterning;
机译:超高PAG EUV光致抗蚀剂的薄膜量子产率
机译:直接将PAG掺入聚合物主链中对193 nm反应性离子刻蚀性和EUV化学放大抗蚀剂的影响
机译:用于EUV和EB光刻的PAG胶粘剂的PAG研究
机译:将有机硅烷掺入EUV光致抗蚀剂:二苯基三甲基甲硅烷基甲基甲磺酸甲基甲磺酸盐作为新的PAG
机译:EUV光致抗蚀剂暴露的二次电子相互作用
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:在EUV光刻胶中的角落舍入:通过分子量,PAG尺寸和开发时间调整
机译:碱性和paG对EUV光刻胶脱保护模糊的影响及对噪声的一些思考