Department of Electronic Science University of Delhi South Campus New Delhi-110021 India;
chalcogenide alloy; DTA; phase change optical memory; T_g; T_c; T_m; transmittanee and reflectance;
机译:使用富含Sb的Ge-Sb-Te合金膜的非易失性相变存储器件的电学表征
机译:(i)半导体器件的介电膜和(ii)光学存储器件的硫族化物合金中的中间相的光谱学和电学检测以及化学键的自组织
机译:Si_(15)Sb_(85)相变存储薄膜在不同初始化激光功率下的光学,介电和结构性质的变化
机译:Ag-Sb-TE合金及其薄膜的表征,相变光学存储器
机译:块状和薄膜锑-硒相变合金的合成与表征。
机译:纳秒紫外光脉冲诱导的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的结构转变
机译:相变光学记录-GeSbTe和AgInSbTe薄膜的制备和X射线表征
机译:镍钛铜形状记忆合金薄膜的热机械表征