Center for Integrated Syst., Stanford Univ., CA;
机译:具有电源注入锁定功能的3 mW 54 GHz 0.18μmBiCMOS压控振荡器
机译:采用0.18 µm CMOS技术的19.1 GHz 18 mW 3分频外差注入锁定分频器
机译:在90 nm CMOS中的3.6 mW 125.7–131.9 GHz 4分频注入锁定分频器
机译:一个5 GHz,1 mW CMOS压控差分注入锁定分频器
机译:用于5 GHz应用的CMOS VCO和分频器的设计。
机译:CMOS电压控制振荡器的开关偏置技术
机译:5GHz,1mW CmOs压控差分注入锁定分频器