The University of Texas at Arlington.;
机译:具有低相位噪声LC-VCO和I / Q分频器的9.8 mW 1.2 GHz CMOS频率合成器
机译:在52 GHz f_T SiGe:C BiCMOS技术中设计20 GHz高性能LC-VCO
机译:在65nm CMOS中的2.9mW 53.4–79.4-GHz频率跟踪注入锁定分频器的分析和设计
机译:采用SiGe BiCMOS技术的基于可调触发器的分频器,频率高达113 GHz,全差分77GHz推压VCO
机译:在0.13微米CMOS工艺中设计2.4 GHz VCO的比较研究
机译:使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
机译:基于GHz pLL系统的高速触发器分频器设计:250nm CmOs技术的理论与设计技术