Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, PR. China;
Institute of Micro/Nano Devices and Solar Cells, School of Physics Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, PR. China;
机译:沉积,退火温度和时间对化学浴沉积技术生长的硒化镉(CdSe)薄膜的光学和固态特性的影响
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响
机译:化学浴沉积法生长CdSe薄膜的制备和光学表征
机译:浴温对化学浴沉积Cds薄膜光学和形态学性能的影响
机译:通过化学浴沉积法生长的硫化镉用于铜铟二硒化物光伏薄膜太阳能电池的生长和表征。
机译:退火温度对化学浴镀(CBD)技术在低溶液浓度下沉积的CdS薄膜光学光谱的影响
机译:镀液温度,沉积时间和S / Cd比对化学镀液制备的CdS薄膜结构,表面形貌,化学组成和光学性能的影响