酸化膜破壊およびPoly-Si ヒューズを用いた標準CMOS プロセス準拠の複数回書き込みメモリ

摘要

OTP（One Time Programmable）メモリは1回のみ書き込みが可能な不可逆メモリである。不揮発メモリではその製造に特殊なプロセスが必要となるが、OTP メモリは特殊なプロセスを必要とせずに安価で作製でき、セキュリティ用途等のメモリとして広く利用されている。OTP メモリは、トランジスタの酸化膜破壊を利用したものがよく知られている[1,2]。我々はこれまでに酸化膜破壊とゲート破断による異なる手法のOTP メモリの提案をおこなっている[3]。本報告では、上記OTP メモリの書き込み手法を応用し、汎用CMOS プロセスでありながらゲート構造および書き込み方法の変更により、複数回書き込みが可能なFTP（Few TimeProgrammable）メモリの提案を行い、試作・評価した結果を報告する。