多結晶シリコン薄膜フオノニックナノ構造における熱伝導率のァニール時間依存性

摘要

IoT社会の到来によりセンサーノードの数が爆発的に増え、自立電源としてのエナジーハーべスタ の需要が高まり、環境負荷の小さいシリコンを用いた熱電変換デバイスが注目されている。これまで、シ リコン薄膜を用いたデバイスが報告されている力、熱キヤリァであるフオノンの性質に注目しマルチス ケールでフオノンの散乱を誘起することで、薄膜においてZTの大きな向上が報告されている[2]。今回、 イオン注入を行った多結晶シリコンについて、熱ァニール条件を変えて熱伝導率を変化させ、フオノ二 ック結晶（PnC)ナノ構造と合わせて熱伝導率を低減した結果について報告する。