Trimmed Gate 型T F E T における超急峻スイッチング特性

摘要

トンネル電界効果トランジスタ（Tunnel Field-Effect Transistor; TFET）は、ソース−チャネル間のバンド間トンネル現象を利用する事で急峻なサブスレッショルド (SS) 特性を実現する。実際にMOSFET の理論限界であるS 値 (60mV/dec@300K) を下回る特性が報告されており[1]、低消費電力LSI の実現に向けて活発に研究開発が行われている。しかしTFET の急峻なSS 特性は極低電圧領域に限られており、動作電圧の増大に伴いS 値が悪化し、十分なON/OFF 比が得られなくなる。