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ペロブスカイト型導電性–絶縁性酸化物コア–シェルナノ粒子を用いた大容量複合キャパシタの作製

机译:用钙钛矿型导电绝缘氧化物核壳纳米粒子制备大容量复合电容器

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摘要

我々は薄い粒界層において大容量を取得することのできる粒界絶縁型(BL)キャパシタに注目している。BL キャパシタは導電体–絶縁体のコア–シェル構造の集合体と見なすことができ、コアにペロブスカイト型構造の導電性酸化物、シェルに格子定数の近いペロブスカイト型絶縁性酸化物を用いれば、エピタキシャル界面を導入することができると考えられる。また、均一で粒界のない薄い絶縁層を導入できれば、高い有効比誘電率と高い絶縁破壊電場を併せ持つ複合キャパシタを作製することが可能になると考えられる。我々はこれまでSrRuO_3 (SR)を導電性酸化物コアに用いて、湿式法により絶縁性ペロブスカイト層での被覆を試みたが、SRの分解や絶縁性ペロブスカイト化合物の原料との反応による不純物の生成が確認された。そこで我々は SR に代わる導電材料として LaNiO_3(LN)を検討した。本研究では薄膜の研究例を参考に、コアに LN、シェルに(Bi_(0.5),K_(0.5))TiO_3(BKT)などを選定しコア-シェル粒子の合成を行い、複合キャパシタの作製を試みた。
机译:我们正在关注可在薄晶界层中获得大电容的晶界绝缘型(BL)电容器。 BL电容器可以看作是导体-绝缘体核-壳结构的集合体,并且如果将具有钙钛矿结构的导电氧化物用作核,并且将具有接近晶格常数的钙钛矿绝缘氧化物用于壳,则其变为外延的。据信可以引入接口。另外,如果可以引入均匀且没有晶界的薄绝缘层,则可以制造既具有高有效相对介电常数又具有高介电击穿电场的复合电容器。我们已经尝试使用SrRuO_3(SR)作为导电氧化物核,通过湿法涂覆绝缘钙钛矿层,但是SR的分解以及与绝缘钙钛矿化合物原料的反应会产生杂质。已经被证实。因此,我们研究了LaNiO_3(LN)作为代替SR的导电材料。本研究以薄膜的研究为例,以LN为核,以(Bi_(0.5),K_(0.5))TiO_3(BKT)为壳,合成核-壳颗粒,制备复合电容器。我试过了。

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