横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける 回折格子のデューティー比の効果

摘要

エルビウムドープ光ファイバー増幅器の励起用光源に，発振波長が980 nmのリッジ型半導体レ一ザ一が用いられている.基本横モードと高次横モードの伝搬定数の違いを利用し，基本横モードのみをメサ真下に閉じ込め，高次横モードをメサ外へと放射することを目的として，メサ両脇に横方向回折格子を設けた構造が提案された。