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α,β-Co(OH)_2前駆体を用いた(111)-Co_3O_4シートの合成と(111)配向機構

机译:用α,β-Co(OH)_2前驱体和(111)取向机理合成(111)-Co_3O_4片

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摘要

Co_3O_4は、1.48と2.19 eVにバンドギャップをもつp-typeの半導体と知られており、ガスセンサーや太陽光吸収剤への応用が期待されている。材料の物性は、物質の結晶面に対して変化するため、特定の結晶面を揃えることを目指した高配向薄膜の作製は、重要な研究課題となっている。高配向薄膜の作製方法は、ターゲットとなる物質の格子定数に近い基板を選定し、ヘテロエピタキシャル成長を促すことが一般的である。我々は、この様な物理的な気相法ではなく、化学的手法であるsol-gel法を用いて、高(111)配向のCo_(3-X)Fe_XO_4 (0≤X≤2, CFO)薄膜の作製を報告した。この研究では、CFOの配向起源は、前駆体であるCo(OH)_(1.7)Cl_(0.3)・0.56H_2O (α-Co(OH)_2)が担っていると報告したが、(111)配向を持つ機構について詳細に考察ができていなかった。
机译:Co_3O_4被称为带隙为1.48和2.19 eV的p型半导体,并有望应用于气体传感器和太阳能吸收器。由于材料的物理性质相对于物质的晶面改变,因此旨在对准特定晶面的高取向薄膜的制造已成为重要的研究课题。在制造高取向薄膜的方法中,通常选择晶格常数接近目标物质的晶格常数以促进异质外延生长的基板。我们通过化学方法而非物理气相方法使用溶胶-凝胶法使用具有高(111)取向的Co-(3-X)Fe_XO_4(0≤X≤2,CFO)。报告了薄膜的制造。在这项研究中,我们报道了CFO取向的前体是Co(OH)_(1.7)Cl_(0.3)0.56H_2O(α-Co(OH)_2),但是(111)定向的机制尚未详细研究。

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