EUV光誘起水素プラズマの分光計測

摘要

次世代の半導体リソグラフィ方式として、波長13.5nmの極端紫外線(EUV)にて露光を行うEUVリソグラフィ(EUVL)の開発が盛んに進められている。現在ギガフォトンでは、EUVLに用いる光源の開発を進めており、Sn液滴をターゲットとしたレーザー生成プラズマ(Laser Produced Plasma:LPP)方式のEUV光源の研究・開発を行っている。