Si 基板に対するAr ビーム照射効果の基板温度依存性

摘要

我々は表面活性化ボンディング（SAB）法を用いて、タンデム太陽電池を作製している。SAB 法では、試料表面を活性化するために高速Ar ビーム（FAB）が用いられる。しかし、FAB 照射は結晶構造にダメージを及ぼすこと、電気特性にも影響を与え、その影響はその後の熱処理温度に敏感であることがわかっている。また、SAB 法を用いたn-Si/n-GaAs 接合の界面抵抗は常温接合よりも加熱した状態での接合の方が小さくなることが報告されている。本研究では基板を200℃に加熱した状態での照射(加熱照射)と常温照射において照射による電気特性への影響の違いを評価した。