高効率赤色発光実現に向けたEu添加GaN2次元プラズモニック結晶の作製

摘要

我々はこれまでに、有機金属気相成長（organometallic vapor phase epitaxy :OMVPE）法によりEu添加GaN(GaN:Eu)を活性層とした発光ダイオード（Light emitting diode : LED）を作製し、室温・電流注入下において赤色発光素子の実現に成功している。本報告では、赤色発光の更なる高指向・高輝度化を目指し GaN:Eu 上に二次元正方格子プラズモニック結晶構造を作製する技術を確立するとともに光学特性を評価したのでこれを報告する。