レジスト溝内での金ナノ粒子パーコレーション接続を利用した単一電子素子作製方法

摘要

レジスト溝内に金ナノ粒子 (Au NP) をほぼ一定間隔で配置する方法が報告されている。また、我々は数百nmのギャップで隔てられた電極間でのAu NPパーコレーション接続に関する研究を行ってきた。これらを単一電子素子作製プロセスの視点から見た、前者についてはAu NP間の電気的接続ができないこと、後者についてはAu NPの並列接続が多数含まれることが課題として挙げられる。本研究では、これらの2つの方法とAu NPの2段階散布を組み合わせることで、上記課題の解決を図った単一電子素子の作製プロセスを提案する。