n型GaN中の正孔トラップ密度の定量評価に向けた サブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価

摘要

MOVPE成長したホモエピタキシャル成長n型GaN層中で支配的な補償アクセプタとして働く正孔トラップH1 (E_T=Ev+0.87 eV)の存在が報告されており、その起源は残留炭素と推定されている[1,2]。GaN縦型パワーデバイスのさらなる高耐圧化のために、H1トラップの低減手法の確立は重要である。そのために、成長条件などを系統的に変えた様々なホモエピタキシャル成長n型GaN層中のH1トラップ密度(N_(T,H1))を正確に評価する必要がある。