原子状水素によるアモルファス力ーボン膜の欠陥終端機構

摘要

アモルファスカーボン（a-C)膜は、多様なェネルギーバンドギヤップを持つこと等の特徴から[1]、太陽電池等の電子デバイスへの応用が期待されている。しかしa-Cにおける半導体特性は解明されておらず、光起電力の発現も確認されていない。その要因としては、a-C膜中に高密度に存在する欠陥準位が考えられる。本研究では、原子状水素（H)によるa-C膜中の欠陥終端機構の解明を目的として、m-situ電子スピン共鳴法（ESR)によって、H照射下でのa-C膜中のspin密度の変化を明らかにした。