Ag/Ta_2O_5/Pt素子の一定電圧印加による抵抗変化計測

摘要

金属イオンの拡散とその酸化・還元反応を利用して金属酸化物中における金属フィラメントの形成と消滅を制御して動作する「原子スイッチ」は、次世代不揮発性メモリや脳型コンピューターにおけるシナプス動作素子として期待されている。シナプス素子としての動作には従来の二値表現（スイッチオン、オフ）に加えて、多段階の離散的な抵抗値の表現が必要とされる。本研究では、初期状態の素子に一定電圧を印加することでフォーミング過程中のイオン濃度を増加させ、これによって多段階の離散的な抵抗値変化を実現できるか否かの検証を行った。