Al_2O_3 超薄膜膜介在層を有するSiO_2/InAlN 界面の特性(2)

摘要

GaN に格子整合するInAlN は、GaN 系HEMT のバリア材料として有望であるが、リーク電流が課題である。絶縁ゲートHEMT とすることでリーク電流の低減、さらには高い遮断周波数が達成されている。しかし、絶縁体－半導体界面の物性については未解明の部分が多い。本報告においては、SiO_2 とInAlN の界面を、Al_2O_3 超薄膜層により制御した構造に対して、界面における物性の評価を行った結果を報告する。