Polymers Division, National Institute of Stards Technology, Gaithersburg, MD;
photolithography; chemically amplified photoresists; diffusion;
机译:曝光剂量对模型极紫外光致抗蚀剂反应扩散过程的影响
机译:用于EUV光刻胶的酸放大器的光刻和化学建模
机译:用于EUV光刻胶的酸放大器的光刻和化学建模
机译:模型EUV光致抗蚀剂中的反应扩散过程的基础
机译:用格子蒙特卡洛算法模拟模块化生物分子系统中的反应扩散过程
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:具有抗蚀点扩散函数的EUV光刻胶的建模