Semiconductor RD, Samsung Electronics Co., LTD., Yongin-City, Gyeonggi-Do, Korea 449-711;
ArF; LER; LWR; transistor performance degradation; leakage current; threshold voltage variation;
机译:纳米级CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第二部分-实验结果及其对器件可变性的影响
机译:纳米CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第一部分–建模和仿真方法
机译:低于100 nm密集和孤立特征的线边缘粗糙度:实验研究
机译:纳米CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)之间的相关性研究
机译:减少类似干涉的大场光刻中的线边缘粗糙度(ler)。
机译:不同超声波洁牙机和抛光设备在人牙齿上产生的根部表面磨损和粗糙度的比较:一项体外研究
机译:了解EUV掩模空白表面粗糙度诱导LWR和相关粗糙度要求