MEMC Electronic Materials, Inc., Silicon Materials Research Group, Crystal Technology Department, 501 Pearl Dr., St. Peters, MO 63376, USA;
copper; etching; interstitial; interstitial defects;
机译:通过化学蚀刻技术在硅和工程硅衬底上进行缺陷描绘:新型化学方法和基本方面
机译:一种在硅中描绘缺陷的技术
机译:使用光致发光,缺陷带发射和锁定热成像技术将多晶硅缺陷类型关联起来
机译:定义硅缺陷的技术
机译:通过扫描技术研究碳化硅和氮化镓中扩展缺陷。
机译:光增强的氢氟酸钝化:检测块状硅缺陷的灵敏技术
机译:通过掺杂补偿技术提高硅波导中的散装缺陷介导的吸收
机译:用于测量6H碳化硅中氧原子缺陷的三维正电子湮没动量测量技术