Mitsubishi Electric Co., 997 Miyoshi Nishigoshi, Kumamoto 861-1197, Japan;
induced electron capture levels; InGaP/InGaAs p-HEMT; non-ionizing energy loss; number of knock-on atoms; radiation damage;
机译:高能粒子辐照对多晶硅薄膜的影响
机译:高能粒子辐照对多晶硅薄膜的影响
机译:高能离子辐照多晶金刚石薄膜的场发射特性
机译:α-粒子辐照对多晶硅薄膜晶体管的影响
机译:在准分子激光照射多晶硅膜中的2-D熔化
机译:基于不同波长效应的纳秒脉冲激光辐照多晶硅损伤特性的研究
机译:多晶硅薄膜太阳能电池中等离激元增强光捕获的纳米工艺优化
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。专题报告第3号。薄膜多晶硅太阳能电池的稳定性