Physics Department, Amir Kabir University, Tehran, Iran;
annealing; cluster; effective doping; irradiation; leakage current; silicon detector;
机译:利用交换电荷模型研究载体横截面的影响,对辐照硅探测器的漏电流
机译:原始和辐照绝缘体上硅鳍状场效应晶体管器件中阈值电压,迁移率,漏极电流和亚阈值泄漏电流的建模
机译:中子辐照DOFZ硅垫探测器中的自由电荷载流子的俘获性能
机译:类型反转现象的研究:空间电荷区的电阻率和载流子迁移率以及电中性大块中子辐照的硅p / sup +/- n结检测器
机译:中子辐照导致碳化硅探测器位移损伤的建模。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:强子辐照硅探测器的漏电流:材料依赖性