【24h】

Nanocrystal MOS with Silicon-Rich Oxide

机译:富含氧化硅的纳米晶体MOS

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摘要

By electrical measurements we investigate the charge trapping and the charge transport in MOS capacitors in which the gate oxide has been replaced with a silicon rich oxide (SRO) film sandwiched between two thin SiO_2 layers.
机译:通过电学测量,我们研究了MOS电容器中的电荷俘获和电荷传输,其中栅极氧化物已被夹在两层SiO_2薄层之间的富硅氧化物(SRO)膜代替。

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