Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, RU-142432 Chernogolovka Moscow District, Russia;
deep levels; hydrogen; Si; wet chemical etching;
机译:高电阻率硅中与氢有关的缺陷
机译:高电阻率硅中与氢有关的缺陷
机译:硅和银 - 氢气相关缺陷
机译:硅中与氢有关的铜缺陷的演变
机译:稀III氮-V合金和晶体硅光伏氢相关缺陷的FTIR研究
机译:氢等离子体处理非晶碳化硅基体减少硅量子点超晶格结构缺陷的研究
机译:晶体硅中的氢分子和氢相关缺陷
机译:结晶硅中氢相关缺陷杂质配合物和si-H红外带的模型。