Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, RU-603950 Nizhnii Novgorod GSP-105, Russia;
electroluminescence; erbium; photoluminescence; selective doping;
机译:选择性掺杂对Si:ER结构的光敏效率的影响
机译:锗相关的缺氧中心在通过掺Er控制富锗的SiO_2中的蓝紫色光致和电致发光中的作用
机译:具有咔唑基团的阶梯状结构聚倍半硅氧烷的高光致和电致发光效率
机译:1.53μm掺Er纳米硅结构的电致发光
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:基于全氟化Er(III)配合物的铱(III)配合物作为敏化剂增强了1.54μm的光致发光和电致发光
机译:来自Eu2 +掺杂GaN / SiO2纳米复合材料的明亮蓝色光学和电致发光
机译:室温在红外区域中Yb(sup 3 + - )Er(sup 3+)和Tm(sup 3+)掺杂硅酸盐的CW激光效率