首页> 外文会议>7th International Conference on X-Ray Lasers, Jun 19-23, 2000, Saint-Malo, France >Transient lattice dynamics in fs-laser-excited semiconductors probed by ultrafast X-ray diffraction
【24h】

Transient lattice dynamics in fs-laser-excited semiconductors probed by ultrafast X-ray diffraction

机译:超快X射线衍射探测fs激光激发半导体中的瞬态晶格动力学

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摘要

Using time-resolved x-ray diffraction ultafast lattice dynamics in fs-laser-excited crystalline bulk Ge and Ge/Si-heterostructures has been studied. This experimental technique uniquely allows us to. observe fast energy transport deep into the bulk of the material, coherent acoustic phonon dynamics, lattice anharmonicity, and vibrational transport across a buried interface.
机译:使用时间分辨的x射线衍射研究了fs激光激发的晶体块体Ge和Ge / Si异质结构中的超快晶格动力学。这种实验技术独特地使我们能够做到。观察到快速深入材料主体的能量传输,相干声子动力学,晶格非谐性以及穿过掩埋界面的振动传输。

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