酸化グラフェンを正孔バッファー層として用いた逆構造ペロブスカイト太陽電池

摘要

ペロブスカイト太陽電池は優れた光学的および電気的特性、溶液処理による製膜可能といった点に注目され、20%を超えるPCEも報告されている。低温プロセスによるフレキシブルな太陽電池の作製が可能な逆構造ペロブスカイト太陽電池が注目されているが正孔バッファー層としてよく用いられる PEDOT:PSS は酸性であることから直接触れるとペロブスカイト層に影響を及ぼすことが考えられる。本研究ではp型的特性を有し、低温プロセスで製膜可能な酸化グラフェン(GO)を正孔バッファー層として用いた逆構造ペロブスカイト太陽電池を作製し、その際のGOの製膜方法による素子性能の比較検討を行った。