炭素熱還元を用いたMOD法によるTi-doped VO2薄膜の作製

摘要

二酸化バナジウム (VO_2) は，室温付近にて高い抵抗温度係数(TCR)をもつため高感度なボロメータ素子への応用が期待されている。しかし，その抵抗-温度(R-T)特性において，おおよそ50-70 °Cで相転移に伴うヒステリシスおよび数桁にわたる急激な抵抗変化を示す。そのため，広い温度範囲で安定なボロメータ動作を得るためには，高いTCRを維持しつつ，ヒステリシスならびに急激な抵抗変化のない抑制されたR-T特性が必要である。これまで，有機金属分解（MOD）法によるTiO_2-V_2O_5プリカーサを用いTiO_2分散型VO2薄膜を作製し，ヒステリシス温度幅(TMI)ならびに抵抗変化が減少したR-T特性が得られた。