磁控溅射和热还原退火法制备VO_2薄膜及其性能

摘要

文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备VO2薄膜,研究了退火温度与时间对该薄膜相变和性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪、LCR精密电桥对薄膜的形貌、结构组分、光学性能和变温电阻进行了测试与分析。实验结果表明,溅射法制备的VO2薄膜主要为V2O5相,经过500℃/120min氢气热还原退火后,薄膜逐步转变为VO2相,电阻突变可达到2个数量级。