変調中間層による歪制御積層InAs 量子ドットの光学特性制御

摘要

当研究室では、キャップ層による歪変化に着目し、InAs QD を2層積層し、QD表面をInGaAs 4nm の薄膜によって覆うことで、常・低温の双方において、1.6 μm以上で発光するGaAs (001) 面上 InAs QD 素子の開発に成功した。しかし、この薄膜キャップ層を厚膜化することで、発光波長が典型的な InAs QD の発光域である1.0～1.3 μm に短波長化してしまうため、素子化に向けた課題となっている。前回の報告では、積層されたQD層の間に挟まれ、歪伝達に寄与する中間層に着目し、その中間層をGaAsから変調する事によって、QDサイズが変化することを報告した。今回は、それらの変調中間層の導入によるInAs QDの光学特性の変化について報告する。