ナノロッド導入 (RE)BCO 薄膜の低温 J_c(θ) 特性についての新解釈

摘要

(RE)BCO 薄膜に導入したBaZrO3(BZO) 等のナノロッドはｃ軸相関ピンであり、臨界電流密度の磁界角度依存性 J_c(H, q)において、77 K 等の高温度において大きなJ_c(θ) ピークを示す。しかし、30 K 以下の低温度ではｃ軸方向のJ_c(θ)ピークが目立たなくなり、4.2 K ではほとhど出現しない。従来、この現象は、低温度においてのみ有効な点欠陥によるピンニングに帰されていたが、磁界中J_c が65 K と 4.2 K で良い相関を示すという最近の報告などから、その解釈が疑問視される。今回、イントリンシック・ピンニングに基づく新解釈を提案する。