【24h】

イオン注入技術: 温故知新

机译:离子注入技术:温暖古老的智慧

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摘要

「イオン注入は現代の錬金術である、願った機能を物質に与える錬金術である」と故升田公三先生の薫陶を受け、イオン源を組み立て様々な原子を半導体、特にSi(ケイ素)にイオン注入を行った。後アニールに関して、所謂熱アニールからパルスレーザーアニールまで、平衡-非平衡処理を通して、注入された元素の活性化に関する情報を、ミクロにはESR を中心に、マクロにはSIMSやRBS で分析を行い、昼・夜無く研究を行った。その間、多くの研究所、企業の現場において、様々な「問題」を議論させて頂いた。本発表においては、「1980 年代当時」に頭を悩ませた印象的な課題に焦点を当てて、ブラックボックス化したイオン注入という素晴らしいツールの、将来に現れるであろう電子デバイス形成の一助として頂くことを目的とする。
机译:已故的高田昌三(Kozo Masuda)说:“离子注入是一种现代的炼金术,它使物质具有所需的功能。” 为了响应老师的气味,我组装了一个离子源,并将各种原子注入到半导体中,尤其是Si(硅)。 它是。从所谓的热退火到脉冲激光退火的平衡非平衡处理,用于后退火 有关通过微型传感器中的ESR和宏中的SIMS激活注入元素的信息 我们与苏格兰皇家银行和苏格兰皇家银行进行了分析,并日夜进行了研究。在此期间,在许多实验室和公司场所, 我讨论了各种“问题”。在这次演讲中,令我印象深刻的是我担心“ 1980年代”。 未来,黑盒离子注入的强大工具将重点放在挑战上 目的是帮助形成将出现的电子设备。

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