Helsinki University of Technology Electronic Circuit Design Laboratory P.O.Box 3000, FIN-02015 HUT, Finland;
机译:14.5 fJ /转换步长为90 nm CMOS的9位100-kS / s非二进制加权双电容阵列面积和节能SAR ADC
机译:采用0.13m CMOS的11W,9位全差分,循环/算法ADC
机译:SOI CMOS中的9位逐次逼近型ADC的工作温度高达300摄氏度
机译:1.0伏,9位管线CMOS ADC
机译:CMOS电流模式流水线ADC的功耗降低技术。
机译:低功耗CMOS的霍尔传感器结构简单使用双取样Delta-Sigma ADC
机译:具有0.13μmCMOS的闪光灯和SAR ADC的1-V690μW8位200 MS / S闪存SAR ADC