Electronics Engineering Department, S.V. National Institute of Technology, Surat, India;
Electronics Engineering Department, S.V. National Institute of Technology, Surat, India;
Layout; Transistors; Fingers; Gain; Simulation; Standards; Capacitance;
机译:一级折叠共源共栅CMOS运算放大器的小信号分析和最小建立时间设计
机译:具有集成折叠式CASCODE运算放大器的1mm(2)个CMOS-流水线ADC
机译:基于CMOS折叠级联运算放大器的基于
机译:使用SCL 180NM CMOS技术的高带宽折叠级联运算放大器的最小区域布局
机译:面向RFIC应用的CMOS MESFET级联放大器
机译:基于180nm CMOS技术的基于MEMS的振荡器设计
机译:2.5GHz CMOS折叠式CASCODE运算放大器