SiC-MOSFET による無アーク低ノイズなハイブリッド開閉・接続装置

摘要

シリコン・カーバイド（SiC）のMOSFET は、シリコンよrnり高電圧、高温、かつ高速の動作が可能だと期待している。rnしかし、その製造には、より高度な技術が必要で、より高rnコストである。小電力用途の単に置き換えで数％の効率UPrnだけでは不十分で、数ｋＶ－ｋＡの電力分野、大電力パワrnーエレクトロニクスへの新分野開拓が必要だ（１）。rn常時は金属接点で通電し、遮断時のみ半導体デバイスでrn遮断するハイブリッドスイッチへの応用が期待される（2－6）。rn既にSiC-MOSFET は14A、1.2kV 耐圧が市販されているがこrnれを用いて写真のように双投トグルスイッチとのハイブリrnッドでゲート駆動回路なし電源もなしに1ｋV 無アーク直流rn用ハイブリッドスイッチが可能なrnことはすでに報告した。