Dept. of Electron. Eng., UPC Barcelona Tech, Barcelona, Spain;
Memristor; RRAM; crossbar; emerging device; endurance; process variability; reconfiguration; reliability;
机译:使用两个传输门一个Memristor存储器单元的多级忆内非易失性查找表
机译:神经形态处理器的存储矩阵的互补膜二极管电池
机译:自传式存储器中的视觉透视图:可靠性,一致性以及与目标存储器性能的关系
机译:从可靠性透视上识别忆内记忆单元
机译:使用纳米离子忆阻器件进行内存中计算
机译:集成内存中的新信息:互补学习系统的新见解视角
机译:从可靠性角度对忆阻存储单元的见解