Jiangsu Key Laboratory of ASIC Design, Nantong University, Nantong, 226019, China;
Fatigue; Finite element analysis; Heating; MOSFET; Materials; Reliability; Temperature distribution; MOSFET; TO-263; fatigue life; reliability; simulation;
机译:42V-PowerNet中功率MOSFET的可靠性分析和建模
机译:基于工作波形分析的腿短路初始充电方法所用功率MOSFET的可靠性评估
机译:基于实验温度分布分析的雪崩模式功率MOSFET可靠性模型
机译:用于功率转换器的功率MOSFET的分析和表征能量和可靠性感知设计
机译:使用原子和器件仿真对4h碳化硅功率MOSFET的可靠性和性能进行集成建模。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:42V-powerNet中功率mOsFET的可靠性分析与建模
机译:利用siC功率mOsFET的硬开关Boost功率处理单元的长期可靠性。