Laboratory of Electrical Energy Conversion, KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden;
Current measurement; Lead; Logic gates; Multichip modules; Optimized production technology; Switches; Gate Driver; Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors; Power Module; Silicone Carbide;
机译:在稳定电感开关测试期间对并联SIC MOSFET进行可接受的击穿电压变化的研究
机译:电力模块寄生电容对中电压SiC MOSFET开关瞬态的影响
机译:非钳位电感开关测试环境下SiC MOSFET功率模块的评估
机译:用SIC MOSFET切换并行连接电源模块的性能
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:快速切换平面电源模块,具有SiC MOSFET和超低寄生电感
机译:基于1200 V,100 a,200°C,4H-siC mOsFET的电源开关模块的电气和热性能