IMEP-LAHC Grenoble INP, Minatec, CS50257, 38016 Grenoble, France;
FDSOI; Low temperature characterization; Mobility; parameters;
机译:低温下28 nm FDSOI CMOS技术的表征和建模
机译:28-NM FDSOI CMOS技术对低温温度的表征与建模
机译:低电阻率TANX / TA / TANX金属栅极FDSOI-CMOS技术,具有低温处理
机译:14nm FDSOI CMOS器件的低温表征
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:降低CMOS FDSOI技术在CMOS实施的暗计数率