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【2h】

Lowering the Dark Count Rate of SPAD Implemented in CMOS FDSOI Technology

机译：降低CMOS FDSOI技术在CMOS实施的暗计数率

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T. Chaves de Albuquerque; D. Issartel; R. Clerc; P. Pittet; R. Cellier; F. Calmon;
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年度 2019
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1. A Low Dark Count p-i-n Diode Based SPAD in CMOS Technology [J] . Veerappan Chockalingam, Charbon Edoardo Electron Devices, IEEE Transactions on . 2016,第1期

机译：CMOS技术中基于低暗数p-i-n二极管的SPAD
2. Dark Count Rate Degradation in CMOS SPADs Exposed to X-Rays and Neutrons [J] . Ratti Lodovico, Brogi P., Collazuol G., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2019,第2期

机译：暴露于X射线和中子的CMOS SPAD中的暗计数速率下降
3. Dark Count Rate Distribution in Neutron-Irradiated CMOS SPADs [J] . Ratti Lodovico, Brogi P., Collazuol G., IEEE Transactions on Electron Devices . 2019,第12期

机译：中子辐照CMOS SPAD中的暗计数速率分布
4. SPAD FDSOI cell optimization for lower dark count rate achievement [C] . D. Issartel, T. Chaves de Albuquerque, R. Clerc, International EUROSOI Workshop;International Conference on Ultimate Integration on Silicon . 2020

机译：较低暗计数率成就的Spad FDSOI细胞优化
5. Monolithically Integrated FDSOI CMOS Electron- and Hole-quantum Dot Qubits and Readout Electronics for Large-scale Quantum Computing Processors [D] . ?Bonen, Shai 2020

机译：单片集成 CMOS FDSOI 电子 - 性和空穴量子点量子比特和读出电子器件的大规模量子计算处理器
6. Single Photon Counting Performance and Noise Analysis of CMOS SPAD-Based Image Sensors [O] . Neale A. W. Dutton, Istvan Gyongy, Luca Parmesan, 2016

机译：基于CMOS SPAD的图像传感器的单光子计数性能和噪声分析
7. Dark Count rate measurement in Geiger mode and simulation of a photodiode array, with CMOS 0.35 technology and transistor quenching. [O] . Pellion D, Jradi K, Brochard N, 2014

机译：采用CMOS 0.35技术和晶体管淬灭技术，可在Geiger模式下测量暗计数速率，并模拟光电二极管阵列。
8. Bulk CMOS VLSI Technology Studies. Part 5. The Design and Implementation of a High Speed Integrated Circuit Functional Tester [R] . Trotter, J. D., Robbins, H. D. 1985

机译：批量CmOs VLsI技术研究。第5部分：高速集成电路功能测试仪的设计与实现

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