II MTech VLSI Design, Karunya University, Coimbatore, Indiac;
DG FinFET; DIBL; SS; Source Drain Diffusion;
机译:具有提高的源极/漏极扩展能力的高性能InGaAs FinFET
机译:高性能Ingaas FinFet,带升降源/排水延伸
机译:寄生电容与电阻模型开发和升降源/漏极SOI FinFET结构的优化,用于模拟电路应用
机译:射线源漏金属扩散在FinFET中
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:用金属层间半导体源/漏极接触结构对随机掺杂波动对N型接线FINFET的影响