Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Ibaraki 305-8571 Japanc;
机译:浅沟槽隔离在0.2μm部分耗尽绝缘体上硅技术中对窄宽度器件电离辐射损伤的增强作用
机译:0.13μm部分耗尽绝缘体上硅技术中不同长度器件的总电离剂量响应
机译:3D依次集成的全电离剂量效应,完全耗尽的绝缘体MOSFET
机译:双芯绝缘体装置中的总电离损伤效应
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:γ射线总电离剂量(TID)对Ag / AlO转换行为的影响X/ Pt RRAM设备
机译:0.2μm的独特总电离剂量效应研究 部分耗尽的绝缘硅技术