Material Innovations and Nanoelectronics Research Group, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 Skudai, Johor, Malaysia;
机译:在不同刻蚀时间下通过电化学刻蚀制备的纳米结构多孔硅的表面和整体结构性质
机译:在不同刻蚀时间下通过电化学刻蚀制备的纳米结构多孔硅的表面和整体结构性质
机译:电化学刻蚀时间对n型(100)和(111)晶体上多孔硅太阳能电池性能的影响
机译:蚀刻时间对电位辅助电化学蚀刻形成多孔硅结构形态的影响
机译:光电化学刻蚀制备的柱状多孔碳化硅的形成与表征。
机译:电化学刻蚀制备多孔硅的形貌和纳米结构特征
机译:蚀刻时间对光电化学阳极氧化对p型和n型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响