Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China;
机译:高性能SONOS闪存,具有嵌入在氮化硅电荷捕获层中的原位硅纳米晶体
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:具有硅纳米晶的氮化硅电荷陷阱层的纳米尺度存储特性
机译:氮化硅层中嵌入硅纳米晶体的电荷俘获记忆模拟
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:使用温度稳定的TEM膜观察单层嵌入式硅纳米晶体的形貌
机译:UV总剂量非挥发性传感器使用氧化硅 - 氮化物 - 氧化硅电容器,其具有氧 - 氮化物作为电荷捕获层