School of electronic engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China;
机译:基于级联雪崩晶体管和马克思电路的纳秒脉冲发生器
机译:基于级联雪崩晶体管和马克思电路的纳秒脉冲发生器
机译:高速雪崩晶体管中开关瞬态的3D特性需要最佳芯片设计
机译:基于雪崩晶体管的UWB GPR瞬态源电路设计
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:源极门控晶体管可改善薄膜数字电路的数量级性能
机译:基于雪崩晶体管的高压纳秒脉冲开关电路