General Atomics-Electronic Systems, Inc. San Diego, CA 92123, USAc;
Capacitors; dielectric; energy density; failure; lifetime; reliability; self-healing;
机译:时间依赖性介质击穿和应力引起的泄漏电流对Gbit级DRAM高介电常数(Ba,Sr)TiO / sub 3 /薄膜电容器可靠性的影响
机译:紫外线对梳状电容器结构低介电常数SiOC(-H)薄膜漏电流特性和介电击穿的影响
机译:介电加热的作用和环境湿度对聚合物介电体电击穿的影响
机译:亚皮秒激光诱导介电膜击穿的定标律
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:通过将聚偏二氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯与芳族聚硫脲共混来获得高能量密度薄膜电容器的所有聚合物介电薄膜
机译:薄膜厚度和电极面积对金属化电容膜介电击穿特性的影响
机译:用于电击穿的薄膜电容器的自动监测